研究人員展示了納米設(shè)備的增強輻射傳熱

日本研究人員一直在努力保持納米設(shè)備涼爽，或者至少防止其過熱。通過在微型硅結(jié)構(gòu)中添加微小的二氧化硅涂層，他們能夠顯著提高散熱率。這項工作可能會帶來更小、更便宜、可以封裝更多微電路的電子設(shè)備。

隨著消費電子產(chǎn)品變得越來越緊湊，同時仍然擁有更高的處理能力，管理微電路廢熱的需求已成為一個主要問題。

一些科學(xué)儀器和納米級機器需要仔細(xì)考慮如何將局部熱量從設(shè)備中分流出去，以防止損壞。

當(dāng)熱量以電磁波的形式輻射出去時，就會發(fā)生一定程度的冷卻——類似于太陽光通過太空真空到達(dá)地球的方式。然而，能量傳輸速率可能太慢，無法保護(hù)敏感且密集的集成電子電路的性能。

對于要開發(fā)的下一代設(shè)備，可能需要建立新的方法來解決這個熱傳遞問題。

在最近發(fā)表在《物理評論快報》雜志上的一項研究中，東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所的研究人員展示了如何在由微小間隙隔開的兩塊??微型硅板之間使輻射傳熱率加倍。

關(guān)鍵是使用二氧化硅涂層，在表面板的熱振動(稱為聲子)和光子(構(gòu)成輻射)之間建立耦合。

該研究的主要作者立川紗子 (Saeko Tachikawa) 表示：“我們能夠從理論上和實驗上證明電磁波如何在氧化層界面處被激發(fā)，從而提高傳熱速率。”

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